最近、ACアダプタなどを購入するときに、「GaN」の記載を目にすることが多くなりました。GaN（窒化ガリウム）そのものは電流耐性や高周波・高温動作に優れた半導体で、LED、レーザー、RF用途など幅広く使われています。充電器市場では、従来より高速で小型化に優れたデバイスが求められており、GaNはそれにぴったりです。そんなGaNを加工するためには、非常に精密でダメージの少ない膜／エッチング技術が必要です。
今回紹介するサムコ株式会社は、このようなGaNを含む化合物半導体の加工技術を手掛けています。成膜、ドライ／プラズマエッチング、表面処理などを含む装置の設計・製造を行い、LEDやマイクロLED、RFデバイスなど、性能がシビアな用途向けのプロセスを多数提供しています。
特にGaNエッチング分野では、GaN/AlGaN の選択的エッチングや、膜間界面でのダメージ最小化、またトレンチ（溝）エッチングでの形状制御などで強みを持っています。例えば ICP プラズマエッチング技術を用い、GaN/AlGaN の比率選択性を高めつつ、界面の損傷を抑えた加工を可能にしているプロセスを提供しています。
GaN を使ったデバイスの小型化・高効率化がさらに進む中で、これらの分野での技術改良を通じて、GaNデバイスの進化を裏側で支える存在であり続けそうです。